![]() |
|
|
Общая Физика (лекции по физике за II семестр СПбГЭТУ ЛЭТИ)Общая Физика (лекции по физике за II семестр СПбГЭТУ ЛЭТИ)1. Эл. поле в вакууме: Электрическое поле – проявление единого электромагнитного поля, проявлением которого является электрический ток (упорядоченное движение заряженных частиц). Эл. заряды – частицы с наименьшим отрицательным (электроны) или положительным (протоны) зарядом. I-ый закон Кулона: суммарный эл. заряд в замкнутой системе остается постоянным. II-й закон Кулона (о взаимодействии точечных зарядов): Сила взаимодействия двух неподвижных точечных зарядов пропорциональна величине каждого из зарядов и обратно пропорциональна квадрату расстояния между ними. F12 = k*|q1q2|/r122 Где F12 – сила взаимодействия между двумя точечными зарядами; k = 1/(4((0(); ( ( 1; ( - относительная электрическая проницаемость; (0 = 8,85*10-12 Ф/м; (0 =1/(4(*9*109). Если зарядов будет N, то сила взаимодействия между двумя данными зарядами не изменится, то F = (F1i, i = 1 ( N. 2. Напряженность: В качестве величины, характеризующей электрическое поле, принята величина E = F / qпр. Ее называют напряженностью электрического поля в точке, где пробный заряд испытывает действие силы F. Напряженность эл. поля в данной точке: Е = (1/4((0)*(q/r2), q – заряд, обуславливающий поле. Вектор Е направлен вдоль радиальной прямой, проходящей через заряд и данную точку поля, от заряда, если он положителен, и к заряду, если он отрицателен. За единицу напряженности принят В/м. Принцип суперпозиции: напряженность поля системы зарядов равна векторной сумме напряженностей полей, которые создавал бы каждый из зарядов системы в отдельности. 3. Законы Кулона: I-ый закон Кулона: суммарный эл. заряд в замкнутой системе остается постоянным. II-й закон Кулона (о взаимодействии точечных зарядов): Сила взаимодействия двух неподвижных точечных зарядов пропорциональна величине каждого из зарядов и обратно пропорциональна квадрату расстояния между ними. F12 = k*|q1q2|/r122 Где F12 – сила взаимодействия между двумя точечными зарядами; k = 1/(4((0(); ( (1; ( - относительная электрическая проницаемость; (0 = 8,85*10-12 Ф/м; (0 =1/(4(*9*109). 8. Линии напряженности: Электрическое поле можно описать с помощью линий напряженности. Их проводят таким образом, чтобы касательная к ним в данной точке совпадала с направлением вектора Е. Густота линий выбирается так, чтобы кол-во линий, пронизывающих единицу поверхности, было равно численному значению вектора Е. (1) Линии напряженности точечного заряда представляют собой совокупность радиальных прямых, направленных от положительного заряда и к отрицательному. Линии одним концом «опираются» на заряд, а другим концом уходят в бесконечность (2). Так полное число линий, пересекающих сферическую поверхность радиуса r, будет равно произведению густоты линий на площадь поверхности сферы (4(r2). В соответствии с (1), густота линий численно равна Е = (1/4((0)*(q/r2), то кол-во линий численно равно (1/4((0)*(q/r2)* (4(r2) = q/(0. Это говорит о том, что число линий на любом расстоянии от заряда будет постоянным, то, в соответствии с (2), получается, что линии ни где, кроме заряда, не начинаются и не заканчиваются. 5. Поле электрического диполя: Электрическим диполем называется система двух одинаковых по величине разноименных зарядов +q и –q, расстояние l между которыми значительно меньше расстояния до точек, в которых определяется поле системы. Прямая, проходящая через оба заряда, называется осью диполя. Положим, что r+ = r – a cos (, а r- = r + a cos (. Спроецируем вектор Е на два взаимно перпендикулярных направления Er и E(: Er = 1/(4((0)*(2p.cos()/r3; E( = 1/(4((0)*(p.sin()/r3, где p = q.l – характеристика диполя, называемая его электрическим моментом. Вектор р направлен по оси диполя от отрицательного заряда к положительному. E2 = Er2 + E(2 ( E = 1/(4((0)*p/r3* *((1+3.cos2(). Если предположить, что ( = (/2, то получим напряженность на прямой, проходящей через центр диполя и перпендикулярной к его оси: E( = 1/(4((0)*p/r3, при этом Er = 0, то E( параллелен оси диполя. 6. Поле кругового заряда на оси: dr dE = k*(?dl)/L2 dE1 = dE.cos( = dE(x/4) = =k*?*(x.dl)/(R2+x2)3/2 2(R E1 = (dE1 = k*?*(x.dl)/(R2+x2)3/2 0(dl = = (2(R?kx)/(R2+x2)3/2 = =k*(Q.x)/ (R2+x2)3/2. 7. Поле заряда, распределенного по диску, на его оси: dr ? - плотность распределения заряда dQ = ?dS = ?2(rdr dE1 = k*(dQx)/(r2+x2)3/2 = =k?2(*(xrdr)/(r2+x2)3/2 E1 = k(2(x*0(Rrdr/(r2+x2)3/2 = =-k(2(x(r2+x2)-1/20(R = =k(2(x(1/x–1/((R2+x2)) = k(2((1– x/(( R2+x2)). Если x (2; 2 - (1 = (2; 3 - (1 < (2. 14. Поле бесконечного заряженного шара (сферы): Заряд с поверхностной плотностью ( распределен по сфере радиуса R: Е |E| - const; ФЕ = So(EndS = E o(dS = E 4(r2 = = (1/(0) (4(R2 q = ( 4(R2 Eнаружн = ((R2)/((0r2) = q/(4((0r2) Eвнутр = 0 E Er ~1/r r R Заряд с поверхностной плотностью ( распределен по шару радиуса R: Ф = Е 4(r2 = ((/(0) 4/3 (R3 qнаружн = (V = ( 4/3 (R3 Eнаружн = ((R2)/((0r2) = q/(4((0r2) Eвнутр = ((r)/(3(0(1) E 1 Er 2 r R Шар с ((r): Eнаружн = q/(4((0(2r2) dq = ((r’) 4(r’ dr’ r’ – толщина внутреннего слоя; q = 0(R((r’) 4(r’2 dr’ Eнаружн = (4( 0(R((r’) 4(r’2 dr’)/ /(4((0(2r2); r Eвнутр = (4( 0(((r’) 4(r’2 dr’)/ /(4((0(1r2); Шар с полостью: Eнаружн = (4( R1(R2((r’) 4(r’2 dr’)/ /(4((0(2r2); r Eвнутр = (4( R1(((r’) 4(r’2 dr’)/ /(4((0(1r2). 15. Потенциал ((): ]( поле, создаваемое неподвижным точечным зарядом q. ]( точечный заряд q’, на который действует сила: F = 1/(4((0)*(qq’)/r2 Работа, совершаемая над зарядом q’ при перемещении его из одной точки в другую, не зависит от пути A12 = 1(2 F(r)dr = (qq’)/(4((0)r1(r2dr/r2. Иначе ее можно представить, как убыль потенциальной энергии: A12 = Wp1 – Wp2. При сопоставлении формул получаем, что Wp = 1/(4((0)*(qq’)/r. Для исследования поля воспользуемся двумя пробными зарядами qПР’ и qПР’’. Очевидно, что в одной и той же точке заряды будут обладать разной энергией Wp’ и Wp’’, но соотношение Wp/qПР будет одинаковым. ( = Wp/qПР = 1/(4((0)*q/r называется потенциалом поля в данной точке и, как напряженность, используется для описания электрического поля. ]( поле, создаваемое системой из N точечных зарядов. Работа, совершаемая силами этого поля над зарядом q’, будет равна алгебраической сумме работ, совершаемых каждым из qN над q’ в отдельности: A = i = 1(NAi, где Ai = = 1/(4((0)*(qiq’/ri1 - qiq’/ri2), где ri1 - расстояние от заряда qi до начального положения заряда q’, а ri2 – расстояние от qi до конечного положения заряда q’. Следовательно Wp заряда q’ в поле системы зарядов равна: Wp = 1/(4((0)*i = 1(N(qiq’)/ri , то ( = 1/(4((0)*i = 1(N(qi/ri), следовательно потенциал поля, создаваемого системой зарядов, равен алгебраической сумме потенциалов, создаваемых каждым из зарядов в отдельности. Заряд q, находящийся в точке с потенциалом ( обладает энергией Wp = q(, то работа сил поля A12 = Wp1 –Wp2 = q((1 - (2). Если заряд из точки с потенциалом ( удалять в бесконечность, то A( = q(, то ( численно равен работе, которую совершают силы поля над единичным положительным зарядом при удалении его из данной точки на бесконечность. 16. Связь между напряженностью и потенциалом: Электрическое поле можно описать с помощью векторной величины Е и скалярной величины (. Для заряженной величины, находящейся в электрическом поле: F = qE, Wp = q(. Можно написать, что E = - ((/(x - ((/(y - ((/(z, т.е. при проекции на оси: Ex = -((/(x, Ey = -((/(y, EZ = -((/(z, аналогично проекция вектора Е на произвольное направление l: Еl = = -((/(l, т.е. скорости убывания потенциала при перемещении вдоль направления l. ( = 1/(4((0)*q/r = /в трехмерном пространстве/ = 1/(4((0)*q/((x2+y2+z2). Частные производные этих функций равны: ((/(x = -q/(4((0)*x/r3; ((/(y = -q/(4((0)*y/r3; ((/(z = -q/(4((0)*z/r3. При подстановке получаем: E = 1/(4((0)*q/r2. Работа, по перемещению q из точки 1 в точку 2, может быть вычислена, как A12 = 1(2qEdl или A12 = q((1 - (2), приравняв их, получим (1 - (2 = 1(2Edl. При обходе по замкнутому контуру (1 = (2, то получим: o( Edl = 0. 17. Эквипотенциальные поверхности: Воображаемая поверхность, все точки которой имеют одинаковый потенциал, называется эквипотенциальной. Ее уравнение имеет вид ((x, y, z) = const. При перемещении по эквипотенциальной поверхности на отрезок dl, d( = 0. Следовательно, касательная к поверхности, составляющая вектор Е, равна 0, т.е. вектор Е направлен по нормали к эквипотенциальной поверхности. Т.е. линии напряженности в каждой точке перпендикулярны к эквипотенциальным поверхностям. Эквипотенциальную поверхность можно провести через любую точку поля и их можно построить бесконечное множество. Их проводят таким образом, чтобы разность потенциалов для двух соседних поверхностей была одинаковой ((( = const). Тогда по густоте эквипотенциальных поверхностей можно судить о величине напряженности поля. В соответствии с характером зависимости Е от r, эквипотенциальные поверхности при приближении к заряду становятся гуще. Для однородного поля эквипотенциальные поверхности представляют собой систему равноотстоящих друг от друга плоскостей, перпендикулярных к направлению поля. 18. Проводники в электрическом поле: Проводники состоят из связанных зарядов равномерно распределенных по объему проводника. Электроны проводника находятся в тепловом хаотическом движении. ]( поле с проводником: () 1 - + Е - + - + Е - +() 2 - + Е - + -- + Е - + + Е - + Напряженность внутри проводника равна 0, т.к. внутри проводника складывается некая суперпозиция напряженностей. Если (1 - (2 = 0, то поверхность проводника эквипотенциальна, а линии напряженности всегда перпендикулярны эквипотенциальной поверхности. Возьмем произвольную точку плоскости проводника. ( ( Возьмем касательную к элементу поверхности (. d(/d( = -E(, (где d(/d( = 0) вектор Е перпендикулярен плоскости в данной точке. q Е = 0 E ~ ( (( - поверхностная плотность) Заряд распределен по поверхности, Е = 0, распределение неравномерно, максимальную плотность заряд имеет в местах максимальной кривизны. Обозначим «степень кривизны» за С, то С = 1/R. E ~ ( ~ C ~ 1/R. 19. Электроемкость, конденсаторы: Электроемкость – коэффициент пропорциональности между зарядом проводника и потенциалом, который заряд приобретает. Зависит от формы проводника и окружающих его тел. С = q/(. Электроемкости уединенных проводников (на него ни что не влияет): Сфера: q ( = 1/(4((0)*q/R C = q/( = 4((0R R ( Если поместить около сферы другой проводник, то С = (q/((. -(q R (q E+ X E- +(q l R (( - разность потенциалов, возникшая между проводниками. Если l>>R, то заряд по поверхности каждой сферы распределяется равномерно. (( = (1 - (2 (1 - (2 = R(l-R Edx E = E+ + E- = k*(q/x2 + k*(q/(l-x)2 Конденсаторы: С = 4((0R Плоский: q+ q- C = (q/((1 - (2) = = ((q(0S)/((qd) = = (0S/d (1 - (2 = E*d = = (d/( = ((qd)/((0S) (1 (2 Сферический: R1 R2 +q -q (1 - (2 = R1(R2E+dr = = (q/(4((0) * R1(R2 (1/r2)dr = = (q/(4((0)*(1/R1 – 1/R2). C = (4((0(R1R2)/(R2-R1). 20. Электрическое поле в диэлектриках: При помещении в поле диэлектрика в поле происходит изменение. Сам диэлектрик реагирует на поле иначе, чем проводник. Заряды, входящие в состав молекул диэлектрика, называются связанными. Они не могут покидать пределы молекулы, в которую они входят. Заряды не входящие как в состав молекул диэлектрика, так и в сам диэлектрик называются сторонними. Поле в диэлектрике является суперпозицией полей сторонних и связанных зарядов и называется микроскопическим (или истинным). ЕМИКРО = ЕСТОР + ЕСВЯЗ Микроскопическое поле в пределах диэлектрика непостоянно, поэтому Е0 = = + = E’ Макроскопическое поле: E = E0 + E’ При отсутствии диэлектрика макроскопическое поле равно Е = Е0 = . Если сторонние заряды неподвижны, то поле ЕМИКРО обладает теми же свойствами, как электростатическое поле в вакууме. При определении суммарного действия всех электронов имеет значение и центр масс отрицательных зарядов. ( q- l q+ ( ( r- r+ ( ( r- = (i = 1(Nriqi-)/( i = 1(Nqi-) ( r+ = (j = 1(Nrjqj+)/( j = 1(Nqj+) Полярные и неполярные молекулы во внешнем поле приводят развороту диполя в направлении поля. Неполярные молекулы приобретают электрический момент. Они поляризуются, от чего возникает дипольный момент, направленный вдоль внешнего поля. Молекула ведет себя как упругий диполь. 21. Диполь в однородном и неоднородном электрических полях: В однородном поле: ( E l +q Fk ( M ( Fk (X)-q M = Fk*l*sin( = q*E*l*sin( = = P*E*sin(, где P – дипольный момент. ( ( ( M = [P x E] ( M – направлен «от нас» dA = Md( = P*E*sin( d( dA = dW ( ( W = -P E cos( = -(P E)* * - cкалярное произведение. В неоднородном поле: ( ( +q F+ Е l -q (X ( F- (F = (F+) – (F-) = q*(E = = q*(E/(X*l*cos( = P*(E/(X*cos( = = /кроме вращающего момента на диполь действует сила, зависящая от угла (, если угол острый, то диполь «втягивается» внутрь поля/ = = ((PEcos()/(X = -(W/(X. 22. Поляризация диэлектриков: ( Р – параметр, описывающий состояние диэлектрика в электрическом поле. ( ( P = (i = 1(NPi)/(V (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) ( (-+)(-+) (-+)(-+) Е (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) (-+)(-+) На поверхности возникают связанные заряды с плотностью (СВЯЗ. ( ( P = H(0E H – коэффициент диэлектрической восприимчивости; Е – результирующий вектор. E (S l ( n P n d -( +( P*(V – суммарный дипольный момент молекул внутри цилиндра. (V = (S*l*cos( P*(V = P*(S*l*cos( = q*l q = (СВЯЗ*(S P*(S*cos(*l = (СВЯЗ*(S*l P*cos( = (СВЯЗ (СВЯЗ = H(0E, где Е – результирующее поле в диэлектрике. ( ( ( Е = Е0 + Е’ Внешнее поле должно ослабляться: ( ( ( ( ( Д = (0Е + Р = (0E + H(0E = ( ( = (1 + H)(0E = ((0E. 23. Поле внутри плоской диэлектрической пластины: +(0 -(0 Е0 - + - + - + (0 – свободные перемещающиеся заряды, создающие Е0 (вектор); Число силовых линий уменьшается во столько раз, какое значение имеет (. Е0 = (0/(0 Е = Е0 – Е’ = (0/(0 - (СВЯЗ/(0 = = 1/(0((0 - (СВЯЗ); E = E0 – HE ( E*(1 +H) = E0 ( E = E0/(1+H) = E0/(; Д = (0(E = (0E, т.е. вектор индукции внутри не изменяется, плотность силовых линий остается постоянной. E = 1/(0*((0 - (СВЯЗ) = E0/( =(0/((0(); (CВЯЗ = (0*(( - 1)/(. 25. Сегнетоэлектрики: Существуют группы веществ, которые могут обладать самопроизвольной поляризованностью в отсутствие внешнего поля. Подобные вещества получили название сегнетоэлектриков. Впервые свойства сегнетоэлектриков было изучено Курчатовым. Отличия сегнетоэлектриков от остальных диэлектриков: 1) Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков измеряется тысячами, а у диэлектриков – десятками. 2) Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков зависит от напряженности поля. 3) Сегнетоэлектрики обладают явлением гистерезиса (запаздывания): P 1 Pr 2 3 E EC При изменении поля значение поляризованности Р и смещения D отстают от напряженности поля Е, в результате чего P и D зависят не только от текущего значения Е, но и от проедшествующего. Это явление называется гистерезисом. На участке (2), при обращении Е в ноль, сохраняется остаточная поляризованность Pr. Она становится равной нулю только под действием противоположнонаправленного поля ЕС, называемой коэрцетивной силой. Сегнетоэлектриками могут быть только кристаллические вещества с отсутствующим центром симметрии. У каждого сегнетоэлектрика ( темпиратура, называемая точкой Кюри, при которой он утрачивает свои свойства и становиться обычным диэлектриком. 26. Поведение векторов напряженности и индукции на границе двух сред: E(1 (1 ( ( n1 En1 (1 dh |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
![]() |
|
Рефераты бесплатно, курсовые, дипломы, научные работы, реферат бесплатно, сочинения, курсовые работы, реферат, доклады, рефераты, рефераты скачать, рефераты на тему и многое другое. |
||
При использовании материалов - ссылка на сайт обязательна. |